Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de uv basados en algan

• Autores: José Luis Pau Vizcaino
• Directores de la Tesis: Elías Muñoz Merino (dir. tes.), Enrique Calleja Pardo (codir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Politécnica de Madrid ( España ) en 2003
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Fernando Calle Gómez (presid.), Udo Schühle (secret.), Francisco Jaque Rechea (voc.), Juan Ignacio Larruquert Goicoechea (voc.), Pierre Gibart (voc.)
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Hoy en día existe un creciente interés por los dispositivos optoelectrónicos eficientes (emisores y detectores de gap directo) trabajando en los rangos azul y ultravioleta de espectro electromagnético. Debido a la energía del gap que presenta y al carácter directo del mismo, los nitruros ofrecen una solución única en estas regiones.

    En esta Tesis se presenta el crecimiento de capas epitaxiales por rf-PAMBE de AlGaN sobre substratos de Si (111), Al203 y templates de GaN. Las propiedades ópticas y estructurales de las capas mostraban una mejor calidad cristalina cuanto menos era el desajuste de red con el substrato. Se ha llevado a cabo el estudio de la cinética del depósito de este material en función de parámetros como la temperatura, flujos o estequiometría.

    Sobre las capas despositadas, se llevó a cabo la fabricación de fotoconductores, dispositivos metal-semiconductor-metal (MSM) y fotodiodos Schottky de AlxGal-xN, con contenidos de Al de hasta el 59% alcanzando así el rango denominado ciego al Sol. Éstos presentaban un rechazo a la luz visible entre 2 y 4 órdenes de magnitud. La caracterización electro-óptica mostraba que los valores de fotorrespuesta decrecían con el contenido de Al, siendo esta disminución significativa en los fotoconductores.

    La caracterización de detectores en el UV de vacío y rayos-X suaves fue realizada mediante radiación sincrotrón en muestras crecidas por MBE y MOCVD, para lo que se ha revisado la teoría de interacción entre fotones de estas longitudes de onda y materiales semiconductores.

    Finalmente, se ha abordado el empleo de los detectores fabricados para aplicaciones en diversos campos: impacto biológico de la radiación UV, detección de llamas, control de combustión y astronomía. Los resultados obtenidos demuestran que, aunque mejorables, las prestaciones de los detectores basados en AIInGaN permiten satisfacer los requerimientos básicos de éstas.

    Sacando provec