Caracterización "in situ" de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-V

• Autores: María Ujué González Sagardoy
• Directores de la Tesis: María Yolanda González Díez (dir. tes.), Luisa González Sotos (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 2002
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Manuel Rojo Alaminos (presid.), José Luis Vicent López (secret.), Enrique Calleja Pardo (voc.), Gil Jose Antonio Sánchez (voc.)
• Materias:
  • Física
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Docta Complutense
• Resumen

  • En este trabajo de tesis doctoral se ha abordado el estudio in situ de dos aspectos fundamentales en el crecimiento de sistemas heteroepitaxiales con diferencia de parámetros de red: los procesos de relajación y la evolución de la morfología. Para llevar a cabo el seguimiento de la morfología hemos utilizado la técnica de dispersión de luz, mientras que la evolución de la relajación ha sido determinada mediante la monitorización óptica, a través de la deflexión de un haz láser, de la curvatura inducida en el substrato por la tensión a que se ve sometida la capa. Puesto que los mecanismos que intervienen en la relajación de los sistemas y en la evolución de la morfología dependen de que la diferencia de parámetros de red entre los constituyentes del sistema heteropitaxial sea grnede (***) o pequeña (***), hemos analizado ambos tipos de sistemas. En concreto, hemos estudiado el sistema In0,2Ga0,8As/GaAs (001) (*** ), que se caracteriza porque la relajación se produce mediante la formación de una red ordenada de dislocaciones de desacople en la intercara y por el desarrollo en la intercara y por el desarrollo en la superficie de una morfología de surcos entrecruzados, y el sistema InAs/InP (001) (***), donde la relajación se produce de manera elástica a través de la formación de hilos cuánticos