Láminas delgadas de SiNx: H y SiOx depositadas mediante la técnica ECR-CVD para su aplicación en estructura MIS

• Autores: Silvia García Sánchez
• Directores de la Tesis: Ignacio Mártil de la Plaza (dir. tes.), Germán González Díaz (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1996
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Manuel Rojo Alaminos (presid.), Jacobo Santamaría Sánchez-Barrriga (secret.), José María Albella Martín (voc.), Enrique Iborra Grau (voc.), Joan Ramon Morante Lleonart (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Transporte de electrones
    • Física del estado sólido
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Docta Complutense
• Resumen

  • La memoria presentada constituye un estudio en profundidad de la técnica electron-cyclotron resonance de deposito de laminas delgadas de los aislantes sinx: h y siox. Se han analizado los principales parámetros de producción que afectan a las propiedades de las laminas, como son la potencia de microondas, la temperatura del portasustratos, la relación de flujos de los gases (n2/sihy para el sinx:h; 02/sihy para el siox) y la presión total en la cámara. Se han estudiado las principales caracteristicas físicas de las laminas en función de tales parámetros, encontrándose las condiciones para obtener caracteristicas optimas. Se han aplicado estas laminas a la realización y caracterización de estructuras mis sobre sí y sobre inp. Se han obtenido caracteristicas c-v sobre ambos tipos de estructuras de las mejores encontradas en la literatura, siendo factible la utilización de tales estructuras en dispositivos de efecto campo.