El efecto hall cuántico y las oscilaciones Shubnikov-de Haas en el gas de electrones bidimensional

• Autores: Antonio Urbina Yeregui
• Directores de la Tesis: Francisco Batallan Casas (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1996
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Manuel Rojo Alaminos (presid.), Eloísa López Pérez (secret.), José Luis Sacedón Adelantado (voc.), Miguel Ortuño Ortín (voc.), Sebastián Vieira Díaz (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Propiedades de transporte de electrones
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Docta Complutense
• Resumen

  • Se ha medido experimentalmente el efecto hall cuántico y las oscilaciones shubnikov-de-haas en heteroestructuras de semiconductores. La medida se realiza a altos campos magneticos (hasta 12t) y bajas temperaturas (desde 1.2k) utilizando la técnica de las cuatro puntas. Las muestras son heteroestructuras pseudomorficas en las que el canal es un pozo cuántico de . Se han medido muestras con diferentes tipos de dopaje y anchura del pozo, provistas de puerta y con forma de barra hall. Se miden las componentes diagonal y no-diagonal del tensor de magnetoresistencia transversa (el campo magnético aplicado es perpendicular al gas de electrones bidimensional y a la corriente aplicada). Se obtienen los plateaus del efecto hall cuántico entero para la componente y las oscilaciones shubnikov-de haas para la . A partir de estos resultados se obtiene el ensor de la magnetoconductividad transversa y la densidad de estados del gas de electrones bidimensional en presencia de campo magnético. Se ha desarrollado un modelo teórico que ajusta los resultados experimentales obtenidos, obteniéndose niveles de landau gaussianos para la densidad de estados. La dependencia de la anchura de los niveles respecto el campo magnético resulta ser , para cada caso se obtiene un tiempo de relajación por ajuste con los resultados experimentales. También se ha estudiado la dependencia con la temperatura de la magnetoresistencia transversa, así como el llenado de la segunda subbanda.