Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces

• Autores: María Bianchi Méndez Martín
• Directores de la Tesis: Francisco Javier Piqueras de Noriega (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1991
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Luis Bru (presid.), Nieves de Diego Otero (secret.), Ángel Remón Sancho (voc.), Luis González Soto (voc.), Tomas Rodríguez Rodriguez (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Microscopia electrónica
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Docta Complutense
• Resumen

  • Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.