Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares

• Autores: María Yolanda González Díez
• Directores de la Tesis: Luisa González Sotos (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1991
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Javier Piqueras de Noriega (presid.), Claudio Aroca Hernández-Ros (secret.), Dolores Gomayo Fernandez (voc.), Federico Soria Gallego (voc.), José Luis Castaño Palazón (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Semiconductores
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología de materiales
      • Propiedades de materiales
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Docta Complutense
• Resumen

  • En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.