Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GAAS/N-ALGAAS, N-GAAS/INGAAS y ALAS/INAS/GAAS para dispositivos HEMT
- Autores: Manuel Vázquez López
- Directores de la Tesis: Fernando Briones Fernández-Pola (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Complutense de Madrid ( España ) en 1992
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: José Luis Vicent López (presid.), Claudio Aroca Hernández-Ros (secret.), Germán González Díaz (voc.), Dolores Golmayo (voc.), José Luis Castaño Palazón (voc.)
- Materias:
- Enlaces
- Tesis en acceso abierto en: Docta Complutense
- Resumen
En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electrónica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE, epitaxia por haces moleculares de capas atómicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electrónica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parámetro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electrónica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.
