Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores
- Autores: Alberto J. Palma López
- Directores de la Tesis: Juan Antonio Jiménez Tejada (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Granada ( España ) en 1995
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Pedro Cartujo Estebanez (presid.), Juan Enrique Carceller Beltrán (secret.), Luis A. Bailón Vega (voc.), Tomás González Sánchez (voc.), Daniel Pardo Collantes (voc.)
- Materias:
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- Tesis en acceso abierto en: DIGIBUG
- Resumen
Se ha realizado un estudio teorico de los principales procesos de captura termica en el volumen del si y gaas mediante el metodo de monte carlo. Se ha incorporado la perturbacion culombiana que provocan los centros atractivos a la luz de la teoria de cascada de fonones y se ha adoptado la emision multifonon como la responsable de la transicion al nivel fundamental ligado. Como resultado de la comparacion de la seccion eficaz de captura numerica y la experimental se han obtenido importantes consecuencias respecto a este par de mecanismos de captura y se han calculado valores para algunos de sus parametros caracteristicos. Respecto al trabajo experimental se ha propuesto una nueva tecnica combinada numerico-experimental de medida precisa y simultanea de las secciones eficaces de mayoritarios y la concentracion de centros profundos de uniones p-n, que evita las principales deficiencias de las tecnicas capacitivas tradicionales. Esta tecnica se ha aplicado a uniones reales impurificadas con platino en distintas concentraciones para calcular estos parametros en los dos centros creados por esta impureza.
