El objetivo de esta tesis es caracterizar las nuevas fases electrónicas que aparecen en sistemas correlacionados cercanos a una transición metal aislante. Mediante dopaje químico, electrónico, altas presiones, altos campos magnéticos y control de la dimensionalidad, atravesaremos la zona crítica en sistemas con distintos tipos de enlace (sigma, pi): metal-metal, metal-oxígeno, metal-azufre, etc en diferentes estructuras químicas. Todos estes resultados nos permitirán establecer un mecanismo general para la transición metal-aislante en sistemas electrónicos altamente correlacionados.
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