Growth and characterization of cdznte crystals doped with bi 10 19 at/cm3

• Autores: Verónica Carcelén Valero
• Directores de la Tesis: Ernesto Diéguez (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2010
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Mercedes Carrascosa Rico (presid.), Enrique Cutierrez-Puebla (secret.), Fernando Jesús López (voc.), Eduard Belas (voc.), José Manuel Pérez Morales (voc.), Pedro Hidalgo Alcalde (voc.), María Dolores Serrano Hernández (voc.)
• Materias:
  • Física
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Biblos-e Archivo
• Resumen

  • APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENER MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE EL MÉTODO BRIDGMAN 5 La presente invención describe un aparato para la preparación de un monocristal semiconductor en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT según el método Bridgman que comprende: un elemento resistivo calefactor (1); una ampolla de crecimiento (3); un sistema de soporte (12) de la ampolla 10 de crecimiento que comprende a su vez un tubo de platino (11) cuya parte superior está en contacto con la ampolla de crecimiento; un tubo de cuarzo (5) de igual diámetro que la ampolla de crecimiento, en cuyo interior se sitúa el tubo de platino (11); un tubo de cuarzo (6) en el interior de 15 tubo de platino y centrado con respecto al mismo. La invención describe asimismo un procedimiento para obtener un monocristal que comprende el empleo del aparato de la invención.