Epitaxia selectiva y recrecimiento lateral de GaAs e InGaAs sobre sustratos Hfo2/GaAs nanoestructurados: Efecto del hidrógeno atómico como surfactante

• Autores: Marcos Benedicto Córdoba
• Directores de la Tesis: Paloma Tejedor Jorge (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 2012
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Miguel Ángel Alario Franco (presid.), Fernando Briones Fernández-Pola (secret.), Jon M. Molina Aldareguia (voc.), Marina Gutiérrez Peinado (voc.), Pedro del Castillo (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Dieléctricos
  • Química
    • Química inorgánica
      • Hidrogeno
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
      • Transistores
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: Biblos-e Archivo
• Resumen

  • Esta tesis presenta un nuevo proceso de fabricación de intercaras de alta calidad entre dieléctricos de alta permitividad y semiconductores III-V de alta movilidad de portadores que puede contribuir a hacer viable la integración de transistores III-V de nueva generación en circuitos lógicos. Este proceso consiste en el tratamiento con H atómico, generado in situ, de sustratos HfO2/GaAs(001) nanoestructurados en ultra-alto vacío, y en el posterior recrecimiento epitaxial lateral (ELO) de GaAs e InGaAs mediante epitaxia de haces moleculares (MBE), de manera que el HfO2 actué como máscara