Projeto de um OTA Baseado em Inversores em Processo CMOS de 130 nm

• Silva, Otávio Soares ^[1] ; Braga, Rodrigo Aparecido da Silva ^[1] ; Karolak, Dean Bicudo ^[1] ; Silva, Paulo Marcio Moreira e ^[1]
  1. [1] Universidade Federal de Itajubá

     Universidade Federal de Itajubá

     Brasil

     
• Localización: Research, Society and Development, ISSN-e 2525-3409, Vol. 9, Nº. 6, 2020
• Idioma: portugués
• Títulos paralelos:
  • Proyecto de OTA Basado en Inversores en Procesos CMOS de 130 nm
  • Design of an Inverter-Based OTA Based on a 130 nm CMOS Process
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• Resumen
  • español

    En los procesos de fabricación de amplificadores diferenciales integrados, una característica inherente es que los transistores nMOS y pMOS incorporados tienen diferencias físicas en relación con los valores proyectados, un efecto conocido como mismatch. En este trabajo, se evaluará el impacto que los procesos de fabricación infligen en un amplificador operacional de transconductancia construido con transistores con canal uniformemente dopado y baja threshold voltaje y transistores de canal uniforme dopado con regular threshold voltaje utilizando investigación experimental cuantitativa.

  • English

    In manufacturing processes of integrated differential amplifiers, an inherent characteristic is that the fabricated nMOS and pMOS transistors have physical differences in relation to the projected values, an effect known as mismatch. In this work, the manufacturing process variations in operational transconductance amplifiers (OTA) are evaluated. Two OTA based on CMOS inverters are designed using both low threshold and standard threshold uniformly doped transistors using quantitative experimental research.

  • português

    Nos processos de fabricação de amplificadores diferenciais integrados uma característica inerente é que os transistores nMOS e pMOS construídos possuam diferenças físicas em relação aos valores projetados, efeito conhecido como descasamento. Neste trabalho será avaliado o impacto que os processos de fabricação infligem em um amplificador operacional de transcondutância construído com transistores com canal uniformemente dopado e baixa tensão de threshold e transistores de canal uniformemente dopado com tensão de threshold regular utilizando uma pesquisa experimental quantitativa.