Physical behaviour analysis and compact temperature-dependent modeling in organic and igzo tfts
- Autores: Harold Cortés Ordóñez
- Directores de la Tesis: Benjamín Iñiguez Nicolau (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Rovira i Virgili ( España ) en 2020
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Joaquim Puigdollers González (presid.), Josep Ferré Borrull (secret.), Elvira Mª Correia Fortunato (voc.)
- Programa de doctorado: Programa de Doctorado en Tecnologías para Nanosistemas, Bioingeniería y Energía por la Universidad Rovira i Virgili
- Materias:
- Enlaces
- Tesis en acceso abierto en: TDX
- Resumen
Para nadie es un secreto que el mundo se encuentra en constante evolución y con el, evolucionamos nosotros y todo lo que nos rodea, por ello, es de vital importancia investigar y experimentar nuevas tecnologías que conlleven a mejorar las herramientas actuales. Por esta razón y en busca de profundizar, innovar y aportar nuevos resultados en materia de tecnologías electrónicas flexibles de alto rendimiento, nuestro trabajo se enfoca en el modelado de la corriente de drenaje para los transistores orgánicos de película delgada (OTFT) y los transistores de película delgada de óxido de zinc-indio-galio (IGZO TFT) . Asimismo, presentamos un modelo para la capacitancia gate-gate para OTFT.
Entonces, haciendo uso de los modelos compactos desarrollados en esta investigación, analizamos las dependencias de temperatura aplicando métodos de extracción de parámetros directos a las curvas características experimentales 1 - V aplicando temperaturas de 150K hasta 370K para OTFT e IGZO. Además, analizamos el comportamiento de capacitancia de puerta para temperaturas que van desde 200K hasta 300K, de los cuales, la mayoría de parámetros del modelo de capacitancia de puerta se extraen de las curvas características 1-V.
Podemos concluir que durante el desarrollo de nuestra investigación, logramos validar con éxito nuestros modelos en comparación con las características experimentales 1-V de OTFT y TFT IGZO desde 150K hasta 370K y características C-V a diferentes frecuencias para OTFT. Asimismo, pudimos observar que los modelos compactos de corriente de drenador y el modelo compacto de capacitancia de los OTFTs reproducen muy bien las curvas características en todos los regímenes presentes en la corriente y capacitancia, respectivamente. También, la adaptación del modelo de corriente de drenador mencionado con anterioridad, arrojó alta precisión en los TFT IGZO.
Finalmente, teniendo en cuenta el análisis de los modelos desarrollados en esta investigación, se encontró que el transistor orgánico de capa delgada desarrollado en CEA-Liten en Grenoble - Francia, puede llegar a comportarse como un transistor cristalino cuando éste es expuesto a altas temperaturas, lo que demuestra su alta movilidad.
