Periodo de publicación recogido
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A new model for the determination of point defect equilibrium concentrations in silicon
M. Budil, E. Guerrero, T. Brabec, S. Selberherr, H. Poetzl
Compel: International journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, ISSN 0332-1649, Vol. 6, Nº 1, 1987, págs. 37-44
On modeling the intrinsic number and fermi levels for device and process simulation
W. Jüngling, E. Guerrero, S. Selberherr
Compel: International journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, ISSN 0332-1649, Vol. 3, Nº 2, 1984, págs. 79-105
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