Thomas Ziemann
Periodo de publicación recogido
|
|
|
|
|
-
Artículos de revistas
Trade-off analysis of the p-base doping on ruggedness of SiC MOSFETs
Bhagyalakshmi Kakarla, Selamnesh Nida, Johanna Mueting, Thomas Ziemann, Ivana Kovacevic-Badstuebner, Ulrike Grossner
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 267-271
Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.
