Periodo de publicación recogido
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Characterization of highly doped Ga_(0.86) In_(0.14)As_(0.13)Sb_(0.87) grown by liquid phase epitaxy
Joel Díaz Reyes, M. Galván Arellano, J. G. Mendoza Álvarez, J.S. Arias Cerón, J.L. Herrera-Pérez, E. López
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 63, Nº. 1, 2017, págs. 55-64
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