Periodo de publicación recogido
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Gate length dependence of bias temperature instability behavior in short channel SOI MOSFETs
Wangran Wu, H.J. Lu, Chang Liu, Heng Wu, Xiaoyu Tang, Jiabao Sun, Rui Zhang, Wenjie Yu, Xi Wang, Yi Zhao
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 62, 2016, págs. 79-81
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