Periodo de publicación recogido
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A V-band Monolithic HEMT Amplifier Using Two Types of RF Grounds
N. Ono
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 6, 2004, pág. 1010
K. Yamaguchi, H. Yoshinaga, Y. Iseki, N. Ono, K. Onodera, K. I. Arai
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 5, 2004, pág. 733
Characteristics of GaAs HEMTs with Flip-Chip Interconnections
H. Yoshinaga, N. Ono, F. Sasaki, K. I. Arai
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 12, 2003, pág. 2452
V-Band HEMT MMICs Using BCB Thin-Film Layers on GaAs Substrates
M. Sugiura, Y. Iseki, E. Takagi, N. Ono, K. Yamaguchi, M. Amano
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1528-1534
60-GHz-Band Monolithic HEMT Amplifiers Using BCB Thin Film Layers on GaAs Substrates
M. Amano, M. Sugiura, K. Yoshihara, E. Takagi, M. Konno, N. Ono, Y. Fuchida, J. Onomura
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 7, 1999, págs. 1073-1079
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