Periodo de publicación recogido
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Degradation behavior of Ta2O5 stacks and its dependence on the gate electrode.
E. Atanassova, N. Stojadinovic, A. Paskaleva
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1193-1197
Effects of the metal gate on the stress-induced traps in Ta2O5/SiO2 stacks.
E. Atanassova, A. Paskaleva, N. Novkovski
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 514-525
Metal gates and gate-deposition-induced defects in Ta2O5 stack capacitors.
E. Atanassova, D. Spassov, A. Paskaleva
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 12, 2007, págs. 2088-2093
Challenges of Ta2O5 as high-k dielectric for nanoscale DRAMs.
E. Atanassova, A. Paskaleva
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 913-923
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