Periodo de publicación recogido
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Simulation of Si n-MOS inversion layer with Schrodinger-Poisson equivalent circuit model
S. J. Li, C. C. Chang
International journal of numerical modelling: Electronic networks, devices and fields, ISSN 0894-3370, Nº. 3, 2006, págs. 229-238
C. C. Chang
International journal of numerical modelling: Electronic networks, devices and fields, ISSN 0894-3370, Nº. 3, 2006, págs. 289-300
Device-partition method using equivalent circuit model in two-dimensional device simulation
Y. T. Tsai, C. C. Chang
International journal of numerical modelling: Electronic networks, devices and fields, ISSN 0894-3370, Nº. 3, 2005, págs. 203-220
C. C. Chang, J. F. Dai
International journal of numerical modelling: Electronic networks, devices and fields, ISSN 0894-3370, Nº. 5, 2004, págs. 421-432
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