Thermal conductivity of GeSn alloys: a CMOS candidate for energy harvesting applications

• Jhonny Tiscareño Ramirez ^[1] ; Salvador Gallardo Hernandez ^[1] ; Oliver Krause ^[2] ; Omar Concepción ^[2] ; Detlev Grützmacher ^[2] ; Dan Buca ^[2]
  1. [1] Centro de Investigación y de Estudios Avanzados

     Centro de Investigación y de Estudios Avanzados

     México

     
  2. [2] Forschungszentrum Jülich

     Forschungszentrum Jülich

     Distrito de Düren, Alemania

     
• Localización: Tecnología en Marcha, ISSN 0379-3982, ISSN-e 2215-3241, Vol. 37, Nº. Extra 1, 2024 (Ejemplar dedicado a: IEEE Latin American Electron Devices Conference (LAEDC)), págs. 53-59
• Idioma: inglés
• Títulos paralelos:
  • Conductividad térmica de aleaciones de GeSn: Candidato CMOS para aplicaciones de recolección de energía
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  • Texto completo
• Resumen
  • español

    La conductividad térmica, , the semiconductores delgados de GeSn con concentraciones de Sn del 12% fue estudiada usando el método 3-omega. Especial atención se pone en la caracterización a temperatura ambiente en donde se extrajo una pequeña conductividad de la red de 4.5W/m-K. Un comportamiento similar fue encontrado pero usando el método óptico de Termometría Raman indicando la confiabilidad de las mediciones y mostrando que las aleaciones de GeSn son materiales prometedores para aplicaciones termoeléctricas

  • English

    The thermal conductivity, κ, of thin GeSn semiconductors with Sn concentration of 12 at.% was studied by the 3-omega method. Accent is put on room temperature characterization where a small lattice conductivity of 4.5W/m-K was extracted. Similar performance was found but using the Raman thermometry optical method indicating the reliability of the measurements and showing GeSn alloys as promising materials for thermoelectric applications