Resumen de Parámetros de Estructura Electrónica y Energía Prohibida en Aleación Cristalina Cinc Blenda de Inas

César Cabrera Arista, German E. Pomachagua Peres, Salvador S. Trujillo Peres

• español

  RESUMEN El uso de materiales semiconductores como la aleación de arseniuro de indio se incrementa en nuevas aplicaciones, debido a sus propiedades electrónicas y su gran potencial como material optoelectrónico. En el presente estudio se calcularon los parámetros de estructura electrónica y la brecha de energía prohibida del arseniuro de indio con estructura cristalina blenda de cinc. Se usó el método de los orbitales lineales muffins tin LMTO con un potencial LDA que emplea la aproXimación de intercambio y correlación de un gas de electrones homogéneo de spin polarizado, para resolver la ecuación de Schrödinger de la red cristalina del InAs. Las bandas de energía, la densidad de estados y la energía total se calcularon para seis casos diferentes de una pequeña fracción de la carga electrónica de valencia en las esferas vacías de la diagonal en la red. La estructura electrónica presentó una brecha de energía prohibida de 0.408 eV asociada con la energía total mínima de −18.12 Ry cercana a los resultados eXperimentales.

• English

  ABSTRACT The use of semiconductor materials such as indium arsenide alloy is increasing in new applications, due to their electronic properties and great potential as an optoelectronic material. In the present study, the parameters of electronic structure and the energy- forbidden gap of indium arsenide with zinc blende crystal structure were calculated. The method of the linear muffins tin orbitals LMTO with an LDA potential using the exchange and correlation approXimation of a homogeneous spin-polarized electron gas was used to solve the Schrödinger equation of the crystal lattice of the InAs. The energy bands, state density, and total energy were calculated for siX different cases of a small fraction of the valence electron charge on the empty diagonal spheres in the lattice. The electronic structure had a forbidden energy gap of 0.408 eV associated with the minimum total energy of −18.12 Ry close to the experimental results.