Resumen de Posicionamiento de memorias de almacenamiento masivo MEMS) sometidas a perturbaciones armónicas
Manuel F. Pérez Polo, Manuel Pérez Molina, Javier Gil Chica, José Ángel Berná Galiano
Las memorias de almacenamiento masivo son dispositivos microelectromecánicos (de 10-1000 μm) que incluyen actuadores fabricados sobre superficies de silicio policristalino. El problema de controlar la posición de las cabezas de lectura-escritura de estas memorias es de gran importancia económica para la comercialización de las mismas.. Es por ello que en este trabajo, se presenta un procedimiento para controlar la posición de las cabezas de lectura-escritura, cuando la base en la que está anclado el dispositivo sufre perturbaciones armónicas. El modelo del sistema 1D se basa en dos masas acopladas por un amortiguador y un muelle duro no lineal. De esta forma, se obtienen dos osciladores acoplados tipo Duffing, cuyo movimiento, para fuerzas aplicadas de tipo senoidal, puede resultar caótico, con la aparición de un atractor extraño. Puesto que un atractor extraño es un conjunto denso, cuando el sistema pasa cerca del punto de consigna deseado, se conmuta a una ley de control no lineal para obtener estabilidad asintótica aún en presencia de las perturbaciones, las cuales son eliminadas con un control tipo feedforward. Es de destacar que la ley de control puede aplicarse con o sin perturbaciones, dando señales de control muy pequeñas, de forma que se alcance el punto de consigna con las mínimas oscilaciones posible. El sistema de control diseñado se estudia a través de simulación, obteniéndose resultados de acuerdo con las necesidades en cuanto a velocidad de respuesta y precisión que requieren los dispositivos actuales.
