Depósito de Películas Delgadas de Óxido de Indio Dopado con Estaño (ITO) para su Uso como Electrodos en Procesos Fotoelectroquímicos

• Lucio Hernandez, Daniel Alejandro ^[2] ; Alfaro Cruz, María Rocío ^[1] ; Torres Martinez , Leticia Miriam ^[1]
  1. [1] Universidad Autónoma de Nuevo León

     Universidad Autónoma de Nuevo León

     México

     
  2. [2] Universidad Tecnológica General Mariano Escobedo
• Localización: Química Hoy, ISSN-e 2007-1183, Vol. 12, Núm 3, 2023 (Ejemplar dedicado a: Vol. 12 Núm. 03 (2023): Julio-septiembre 2023), págs. 9-15
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se presenta el depósito de películas delgadas de óxido de indio dopadas con estaño (ITO) utilizando la técnica DC magnetrón sputtering para su uso como electrodos en pruebas fotoelectroquímicas. Los depósitos se realizaron variando la potencia de depósito de 10 a 40 W por un tiempo de 30 minutos. Al término del depósito, las películas de ITO fueron tratadas térmicamente a 400 °C para incrementar la cristalinidad y las propiedades eléctricas del material, ya que después del tratamiento térmico la resistividad del material fue de 2 MQ a 20 kQ. El porcentaje de transmitancia de las películas de ITO fue mayor al 80 % cumpliendo así con la transparencia de los óxidos semiconductores transparentes (TCO). Como consecuencia de las diferentes potencias de depósito, el espesor de las películas de ITO se encontró entre los 38 a 49 nm, influenciando las propiedades eléctricas del material. La película ITO - 40W fue la que presento una mayor concentración de portadores (2.8 x 10 22  cm-3), lo que favoreció el incremento en la fotorespuesta del material en las pruebas de cronoamperometría, alcanzando una fotocorriente de hasta 0.24 A.