Amplificadores de potencia de RF/Microondas altamente eficientes: Ejemplos de diseño

• Restrepo Burgos, Norma ^[1] ; Pérez Mancera, Lady Fernanda ^[1] ; Andrade Mesa, Esther Vanessa ^[1] ; Ballesteros Tovar, Carlos Alberto ^[1] ; Angarita Malaver, Edison F. ^[1] ; Moreno Rubio, Jorge Julián ^[1]
  1. [1] Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
• Localización: Revista Colombiana de Tecnologías de Avanzada, ISSN-e 2500-8625, ISSN 1692-7257, Vol. 2, Nº. 28, 2016 (Ejemplar dedicado a: July - December), págs. 88-92
• Idioma: español
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  • Este artículo muestra el diseño y la caracterización de dos amplificadores de potencia de alta eficiencia basados en tecnología GaN HEMT con una frecuencia de trabajo de 2.4 GHz. El primero es un amplificador de carga sintonizada con una eficiencia en saturación máxima de 52 % y ganancia a pequeña señal de 14.2 dB, el otro es un Clase F con un pico de eficiencia incrementado hasta el 60 % y ganancia a pequeña señal de 16.4 dB. Durante el proceso de diseño, se han tenido en cuenta las componentes parásitas debidas al empaquetado. Un dispositivo CGH40010 fabricado por Cree Inc. ha sido usado con un modelo no lineal válido hasta 6 GHz y una potencia de salida esperada de 10 W.