High power silicon RF LDMOSFET technology for 2.1 GHz power amplifier applications

• Autores: S. Xu, F. Baiocchi
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 151, Nº 3, 2004, págs. 215-218
• Idioma: inglés
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