En este trabajo se obtuvieron películas delgadas de fases de Ag3SbS3 y AgSbSe2, mediante tratamiento térmico de Sb2S3- Ag2S o Ag2Se por el método de depósito químico. Éstas fueron de 400 y 120 nm, respectivamente, posteriormente fueron tratadas térmicamente a 350ºC para Ag3SbS3, obteniendo además la fase AgSbS2 y a 300ºC durante 1 h para AgSbSe2 (PDF 12-0379) donde se observa la conversión total al material ternario. La Eg calculada fue de 1.2 y 1 eV, respectivamente. La conductividad fue del orden de 10-3 (Qcm)”. Con los materiales obtenidos fueron incorporados a una estructura fotovoltaica: SnO2:F-CdS-Sb2S3-AgSb(S/Se)2-Ag obteniendo un Voc de 400 mV en un área de 0.25 cm2.
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