E. Barrios Salgado, J. P. Pérez, Y. Rodríguez Lazcano
Recientemente han reportado que es posible crecer películas delgadas de sulfuro de estaño (SnS) y selenuro de estaño(SnSe) con estructura ortorrómbica sobre películas delgadas de SnS de estructura cúbica. En el presente trabajo se muestra cómo se puede llevar a cabo la transformación de la estructura cristalina de las películas delgadas de SnSe y SnS de ortorrómbica a cubica. Se presenta la metodología de depósito para la formación de las películas delgadas, así como las características estructurales, ópticas y eléctricas de las películas preparadas sin tratamiento térmico (TT) y con tratamiento térmico a 240 ºC en atmósfera de nitrógeno a 10 Torr durante 30 min. Para mostrar el cambio de estructura cristalina, así como el efecto del TT en las películas formadas, se presentan los espectros de difracción de rayos X (DRX), la transmitancia (T), reflectancia (R) y fotorrespuesta. Se determinó una brecha de energía (Eg) de 1.2 eV y conductividad eléctrica (cr) de 1.88x104 ff 1·cm-1 para la película sin TT, para la película horneada en N2 se determinó una Eg de 1.4 eV y O' de 5.8x10-3 ff 1·cm-1. Mediante la punta caliente se estableció que las películas son de conductividad tipo-p. Estas características ópticas y eléctricas junto con la abundancia de estaño (Sn) en la corteza terrestre hacen de este material una excelente alternativa para su aplicación como absorbedor en celdas solares de bajo costo.
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