A Monolithic 1.57/5.25-GHz Concurrent Dual-Band Low-Noise Amplifier Using InGaP/GaAs HBT Technology

• Autores: S.-S. Lu, B.-W. Lee, Y. S. Lin
• Localización: Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 42, Nº. 1, 2004, págs. 58-60
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)