Transistores de película delgada basados en óxido de Zinc por spray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura

• O. Obregón ^[1] ; J.A. Luna-López ^[1] ; P. Rosales ^[2] ; M.A. Domínguez ^[2]
  1. [1] Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

     Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

     México

     
  2. [2] Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica

     Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica

     México

     
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 67, Nº. 4, 2021, págs. 599-607
• Idioma: español
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    En este artículo, se reporta la fabricación de transistores de película delgada con óxido de zinc (ZnO TFTs) sobre sustratos de plástico porspray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura. La máxima temperatura de fabricación fue de 200◦C. Spin-on glass fue usado como dieléctrico de compuerta. El tereftalato de polietileno (PET) es usado como sustrato de plástico. Los ZnO TFTs exhiben una movilidad de electrones de 1.25 cm2/Vs y un voltaje de umbral de 10.5 V, mientras la relación de corriente on/off fue de 104. Adicionalmente, la densidad de trampas en la capa activa y en la interfaz dieléctrico/semiconductor es calculada. Además, capacitores metal-dieléctrico-metal fueron fabricados sobre plástico y caracterizados para evaluar el desempeño del dieléctrico de compuerta.

  • English

    In this work, the fabrication of zinc oxide thin film transistors (ZnO TFTs) on plastic substrates by High-frequency Ultrasonic Spray Pyrolysis at Low Temperature is presented. The maximum fabrication temperature was 200±C. Spin-on glass was used as gate insulator. Polyethylene terephthalate is used as plastic substrate. The ZnO TFTs exhibit an electron mobility of 1.25 cm2/Vs and a threshold voltage of 10.5 V, while the on/off current ratio was of 104. In addition, the trap density in active layer and at the insulator/semiconductor interface is extracted. Moreover, Metal-Insulator-Metal capacitors were fabricated on plastic and characterized in order to evaluate the gate insulator.