Egipto
Láminas delgadas de PbS estequiométrico de tipo p son iluminadas por fotones con energía mayor que la del gap con una lámpara de tungsteno. El fotovoltaje producido en función de la direcci6n de la luz incidente es investigado en función del ángulo y la velocidad de deposición, así como de la temperatura de recocido en el aire, El fotovoltaje demuestra ser directamente proporcional al ángulo de deposición e inversamente a la velocidad de depósito. Su polaridad es independiente de la dirección de los fotones incidentes pero opuesta cuando la velocidad de deposición es alta. El fotovoltaie anómalo ocurre después del recocido de las muestras debido a la formación de una barrera de potencial en la superficie debido, a su al crecimiento de una capa de óxido.
Stoichiometric vacuum—deposited PbS films of p—type conduction were subjected to incident photons above the energy gap from an incandescent tungsten lamp. The produced photovoitage as a function of the direction of the incident light beam was investigated in relation to the deposition angle, the rate of deposition and the annealing temperature in air. The photovoltage was found to be directly proportional to the deposition angle and inversely to the rate of deposition. Its polarity was independent of the direction of the incident photons but reversed at high deposition rates. The anomalous photovoltage rises after thermal treatment of the films due to the creation of a surface potential barrier as a result of the formation of a lead oxide layer.
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