Low-frequency noise and radiation response of buried oxides in SOI nMOS transistors

• Autores: D. M. Fleetwood, H. D. Xiong
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 151, Nº 2, 2004, págs. 118-124
• Idioma: inglés
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