Cómo aplicar los MOSFET de SiC de tercera generación a los diseños de potencia para obtener un mayor rendimiento y eficiencia

• Rolf Horn ^[1]
  1. [1] Digi-Key Electronics
• Localización: Revista española de electrónica, ISSN 0482-6396, Nº 819, 2023, págs. 42-46
• Idioma: español
• Enlaces
  • Texto Completo Ejemplar