Optimisation of 10 Gbit/s InGaAsP electroabsorption modulator operating at high temperature

• Autores: E. Foti, L. Fratta, F. Ghiglieno
• Localización: IEE Proceedings: Optoelectronics, ISSN 1350-2433, Vol. 151, Nº 2, 2004, págs. 103-108
• Idioma: inglés
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