Instituto de Investigaciones en Materiales- UNAM

• Autores: Rocío G. de la Torre Sánchez
• Localización: Mundo nano: Revista interdisciplinaria en nanociencias y nanotecnología, ISSN 2007-5979, ISSN-e 2448-5691, Vol. 9, Nº. 16, 2016, págs. 77-95
• Idioma: español
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  • RESUMEN: El Instituto de Investigaciones en Materiales de la UNAM tiene como objetivo realizar investigación científica y tecnológica sobre estructura, propiedades, procesos de transformación y desempeño de los materiales. Mediante la nanotecnología se busca obtener beneficios de las propiedades que ocurren cuando al menos una de las dimensiones del material es menor a los 100 nm, o bien cuando durante el proceso para su obtención se controlen las unidades elementales a escala molecular o atómica, formándose partículas con dimensiones menores a 10 nm. En el IIM se han desarrollado seis principales líneas de investigación relacionadas con las nanociencias y la nanotecnología: nanocompositos, materiales nanoporosos, modelado y simulación, materiales con estructura nanométrica, nanoestructuras basadas en carbono, materiales moleculares. El estudio e impacto de las aplicaciones nanotecnológicas son muy variados, van desde el desarrollo de implantes médicos, acarreo de fármacos, recubrimientos antibacteriales, hasta aplicaciones industriales en la fabricación y desarrollo de catalizadores, celdas de combustible, captura de gases contaminantes, sensores de gases, dispositivos ópticos, celdas solares, mejoramiento de polímeros, etc. Derivado de estos estudios, el IIM cuenta con una gran variedad de colaboraciones con entidades educativas, centros de investigación, organismos públicos y privados, nacionales e internacionales. De igual forma, la innovación de sus investigaciones se ha reflejado en la presentación y obtención de patentes, así como en el desarrollo de proyectos con gran impacto en la sociedad. Estos logros son resultado de la alta calidad y especialización de sus investigadores y técnicos; así como de la infraestructura disponible en el Instituto.