Proposal and design of a new SiC-emitter lateral NPM Schottky collector bipolar transistor on SOI for VLSI applications

• Autores: M. J. Kumar
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 151, Nº 1, 2004, págs. 63-67
• Idioma: inglés
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