Respuesta Fotoluminiscente observada en muestras de InP y GaAs no dopadas y dopadas Cr y S

• Francisco racedo ^[1] ; J. Jacome Mejia ^[1] ; S. E. Zambrano ^[2]
  1. [1] Universidad de La Guajira

     Universidad de La Guajira

     Colombia

     
  2. [2] Universidad del Atlántico

     Universidad del Atlántico

     México

     
• Localización: Prospectiva, ISSN-e 2216-1368, ISSN 1692-8261, Vol. 19, Nº. 1, 2021
• Idioma: español
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• Resumen
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    En este trabajo se analizaron muestras semiconductoras de GaAs y InP dopadas y no dopadas con un equipo de mapeamiento rápido por fotoluminiscencia a temperatura ambiente. Las muestras fueron crecidas por la técnica LEC, con la técnica fotoluminiscente se obtuvieron imágenes y espectros de línea, para analizar los parámetros: longitud de onda del pico máximo, intensidad del pico máximo, el ancho espectral a la mitad de la altura máxima (FWHM) y la señal integrada para todas las muestras. El espectro del GaAs no dopado mostró dos picos alrededor de 1,426 eV y otro en 1,36 eV, el cual corresponde a un defecto superficial originado por el proceso oxidación de la misma. El espectro del GaAs:Cr muestra un pico alrededor de 1,437 eV, no presento zona de defectos al ser tratado químicamente, debido a la presencia del Cr en el GaAs que origina un nivel aceptor profundo situado en 0,63 eV por debajo de la banda de conducción. El espectro del InP:S presento un pico alrededor de 1,375 eV y cuando fue tratado químicamente reflejo dos picos: con acetona de 1,380 eV y ácido sulfúrico de 1,392 eV.

  • English

    In this work semiconductor sample of GaAs and InP doped and non-doped with a fast-mapping equipment by photoluminescence at room temperature. The samples were gown by the LEC technique,with the photo luminescent technique the images were obtained and line spectrum to analyze characterization parameters such as:wavelength and intensity of the maximum, wide spectral in the middle of the maximum height (FWHM) and the integrated signal for all the samples. The spectrum of the not dope GaAs showed 2 peaks around 1,426 eV and another in 1,36 eV, which corresponds to superficial defect originated by the oxidation process of itself. The spectrum of the GaAs:Cr showed us a peak around 1,437, it did not present any defect zone when treated chemicallydue to the presence of the Cr en el GaAs that originates an acceptor deep level located in 0,63 eV and under the conduction band. The spectrum of the InP:S showed a peak around the 1,375 eV and when it was treated chemically showed 2 peaks: 1,380eV with acetone and 1,392 eV with sulfuric acid.These peaks show us the crystalline quality that these semiconductor samples present, allowing the manufacture of optoelectronic devices such as: lasers, microchips and detectors.