Critical thickness for misfit dislocation formationin InAs/GaAs(110) heteroepitaxy

• Autores: Ignacio Plans Beriso, Ana María Carpio Rodríguez, Luis Francisco López Bonilla, R. E. Caflisch
• Localización: Progress in industrial mathematics at ECMI 2006 / Luis Bonilla (aut.), 2008, ISBN 978-3-540-71991-5, págs. 381-386
• Idioma: inglés
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