Effect of InGaAsP intermediate layer in 1.3 mum AlGaInAs strain-compensated multiple quantum well laser diodes

• Autores: Z. Wang, C. D. Yang, P. H. Lei
• Localización: IEE Proceedings: Optoelectronics, ISSN 1350-2433, Vol. 150, Nº 6, 2003, págs. 541-544
• Idioma: inglés
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