Síntesis y caracterización de materiales cerámicos de PMN para su utilización como condensadores de alta capacidad

• M. Villegas ^[1] ; J.F. Fernández ^[1] ; C. Moure ^[1] ; P. Durán Martín ^[1] ; J. R. Jurado ^[1]
  1. [1] Instituto de Cerámica y Vidrio

     Instituto de Cerámica y Vidrio

     Madrid, España

     
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 30, Nº. 5, 1991, págs. 371-376
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Synthesis and characterization of PMN ceramic materials for its utilization as high capacity capacitors
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    Se prepararon y caracterizaron materiales cerámicos basados en PMN, tanto en volumen como en lámina delgada. El PMN se preparó utilizando la ruta que emplea la columbita (MgNbjOe) como producto intermedio. La composición estudiada contenía un exceso de PbO del 4,5% en peso. Este exceso de plomo se añadió para estudiar sus efectos sobre la sinterización, la proporción relativa de fases y las propiedades dieléctricas.

    Las láminas de PMN se prepararon a partir de una suspensión de polvo de PMN en una mezcla de un disolvente orgánico, un aglomerante acrflico y un plastifícante. El rango de temperatura de sinterización fue 950°-1.100°C y no se empleó atmósfera tampon para compensar las pérdidas de PbO por volatilización. La microestructura se estudió mediante MEB en las superficies de fractura de las láminas y de materiales volumétricos. Las medidas dieléctricas se llevaron a cabo a temperatura ambiente y en el rango de -150° a 150°C

  • English

    Sintered tape-casting ceramic materials based on the PMN compound have been prepared and characterized. PMN was prepared by the columbite route. A PbO excess was added to study its effects on the sinterability, relative phase proportion and dielectric properties.

    Tape-casting sheets were prepared from a PMN powder suspesion in a mixture of organic solvent, an acrylic binder and a plasticizer. The sintering temperature range was 950°-1.100°C, without using buffer to control the PbO losses. For comparison] sintered bodies were also prepared in the same temperature range. Microstructures of fresh fracture surfaces in both films and ceramic bodies were studied by SEM technique. Dielectric measurements were performed at room temperature and in the -150° to 150°C temperature range