Madrid, España
Se han preparado composiciones con alta constante dieléctrica y características tipo X7R, mediante dopado de BaTi03 con pequeñas cantidades de niobio y cobalto. El dopado se efectuó siguiendo tres rutas diferentes: 1) Adición de dopantes durante el proceso de síntesis. 2) Adición de dopantes en forma de óxidos sobre polvos de BaTi03. 3) Coprecipitación vía química de dopantes sobre partículas de BaTi03.
La incorporación de dopantes en solución sólida favorece el crecimiento exagerado de grano medíante un mecanismo de compensación de carga. La adición de dopantes sobre polvos cerámicos previamente sintetizados inhibe el crecimiento de grano.
Mediante espectroscopia de impedancia compleja se ha encontrado un mayor valor de la resistividad en bordes de grano para los materiales cuyos dopantes fueron coprecipitados vía química sobre partículas de BaTi03, debido a una mayor homogeneidad en la distribución de los mismos sobre los bordes de grano, la cual propicia la existencia de un material cerámico con bordes de grano altamente dopados e interiores de grano débilmente dopados
By doping with small amounts of niobium and cobalt, were prepared X7R formulations with high dielectric constant. Three different routes were followed: 1) Dopant addition before the synthesis, 2) Doping by oxides addition on synthetic BaTi03, and 3) Chemical coprecipitation of the dopants on synthetic BaTi03.
The solid solution incorporation of the dopants favours the grain growth by a charge mechanism compensation. The dopant addition on previously synthesized powders inhibits the grain growth. The complex impedance spectroscopy showed higher grain boundary resistivity values for the ceramic materials obtained by chemical coprecipitation of the dopants on BaTi03 particles, due of a high homogeneity of the distribution of the dopants on the grains boundaries, which are advantageous for the obtention of grain core-grain shell structure
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