Obtención de materiales cerámicos por deposición química en fase de vapor (CVD)

• C. Gómez Aleixandre ^[1] ; O. Sánchez ^[1] ; L. Vázquez ^[1] ; J. M. Albella ^[1]
  1. [1] Inst. Ciencia de Materiales. Sede B (CSIC). Universidad Autónoma de Cantoblanco Madrid
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 30, Nº. 5, 1991, págs. 325-328
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Obtaining ceramic materials by chemical vapour deposition (CVD
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• Resumen
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    La técnica de deposición química en fase de vapor (CVD) permite la onteiición de materiales cerámicos de gran pureza, a partir de una mezcla de gases reactivos. La deposición de stos materiales por CVD se ha realizado en un reactor tubular de cuarzo situado en el interior de un horno capaz de alcanzar una temperatura de 1.000° C en la zona de reacción. El material cerámico en forma de polvo se obtiene por reacción homogénea en fase gaseosa a alta temperatura, la cual compite con la reacción heterogénea de formación de recubrimientos cerámicos sobre una superfície a temperatura elevada. Se ha estudiado el proceso de formación de nitruro de silicio con fínes cerámicos, a partir de silano (Si H4), amoníaco (NH3) y nitrógeno (N2) como gas portador. El aumento de la temperatura del proceso así como la utilización de fijos elevados producen un incremento en la velocidad de formación de nitruro de silicio. La presión de los gases en el interior del reactor es el factor decisivo en el control de los posibles mecanismos de reacción favoreciendo la reacción de formación de polvos cerámicos en fase gaseosa o bien la de formación de recubrimientos sobre un sustrato de silicio situado en la zona de temperatura elevada

  • English

    Ceramic materials can be obtained by Chemical Vapor Deposition (CVD) from reactant gas mixtures. The deposition is carried out inside a tubular quartz reactor, heated by a coil furnace with a maximum temperature of 1000°C in the reaction zone. Two reactions take place along the process I) Powder formation by homogeneous reaction in gaseous phase and II) Ceramic coatings by heterogeneous reaction on a surface. The kinetics of both reactions are controlled by experimental parameters as temperature, gases flow rate, flow rate ratio and pressure. In this work, the deposition of ceramic silicon nitride from silane (SÍH4), ammonia (NH3) and nitrogen (N2) gas mixtures has been studied. The deposition rate becomes higher when the temperature and the total flow rate are increased. The homogeneous or heterogeneous reaction is favoured depending on the experimental pressure during the process