Simulación Estática y Dinámica de un Modelo Físico del Diodo PiN en Carburo de Silicio

• Leobardo Hernández ^[2] ; Guillermo Arzate ^[2] ; Zabdiel Brito ^[2] ; Marco Rodríguez ^[1]
  1. [1] Universidad Autónoma del Carmen

     Universidad Autónoma del Carmen

     México

     
  2. [2] ESIME-C del IPN, México
• Localización: Información tecnológica, ISSN-e 0718-0764, ISSN 0716-8756, Vol. 21, Nº. 5, 2010, págs. 45-50
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Static and dynamic simulation of a Physically-Based Model of Silicon Carbide PiN Diode
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• Resumen
  • español

    Este artículo presenta una propuesta de modelado y simulación del diodo PiN en Carburo de Silicio. La propuesta principal de modelado soluciona la ecuación de difusión ambipolar a partir de una aproximación empírica. Mediante la metodología utilizada se obtiene un conjunto de ecuaciones diferenciales que modelan los principales fenómenos físicos asociados al dispositivo semiconductor de potencia. Las ecuaciones implementadas en Pspice modelan en una forma más real el comportamiento de la dinámica de cargas en la región N- de un diodo PiN en Carburo de Silicio para las fases estáticas y dinámicas. Para la comprobación y validación del modelo desarrollado, se compararon los resultados de simulación con datos experimentales reportados en la literatura, obteniéndose resultados adecuados para aplicaciones de electrónica de potencia.

  • English

    This paper presents a method to solve the ambipolar diffusion equation for modeling and simulating the PiN diode in silicon carbide, using an empirical approximation. Through this methodology a set of differential equations that simulate the main physical phenomena associated to the power semiconductor device are obtained. The equations, implemented in Pspice, model in a more actual form the charges behaviour in the N- region of a PiN diode in silicon carbide for the static and dynamic phases. For the verification and validation of the model, the simulation results were compared with experimental data reported in the literature, obtaining accurate results for application in power electronic.