Caracterizaciòn del c-Si y estimación del gap óptico a través de medidas de transmisión con led convencionales de bajo coste
- Autores: Ivaldo Torres Chávez, Kelvin de Jesús Beleño Sáenz, Jorge L Diaz
- Localización: Bistua: Revista de la Facultad de Ciencias Básicas, ISSN 0120-4211, Vol. 10, Nº. 1, 2012, págs. 62-70
- Idioma: español
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Resumen
Este trabajo trata de la caracterización del substrato de silicio cristalino (c-Si) y la determinación del Gap óptico a través de medidas de transmisión y reflexión utilizando un equipo de medida óptica que emplea Led’s convencionales de bajo costo de adquisición diseñado en la Universidad de Pamplona. En el equipo diseñado para realizar las medidas transmisión óptica se utilizaron cinco Led’s convencionales de bajo costo de adquisición de espectros de longitudes de ondas que varían entre el violeta (300nm) hasta el infrarrojo (900 nm). Para realizar los experimentos se utilizaron obleas de silicio cristalino (c-Si) tipo p de 200 y 300 um de grosor pulida por ambas caras con orientación cristalográfica <100>. Con medidas de transmisión y reflexión se calculó la absorción del material semiconductor y se estimó el valor del Gap óptico comparándose con resultados obtenidos por otros autores. Demostrando que es posible utilizar elementos convencionales de bajo consumo de energía y bajo coste de adquisición en la fabricación de sistemas de caracterización que involucran medidas ópticas complejas combinando variables como la temperatura.
