El revolucionario modelado SPICE acelera y simplifica la adopción de MOSFET de potencia optimizados en Carburo de Silicio (SiC)

• Autores: James Victory, Mehrdad Baghaie Yazdi
• Localización: Revista española de electrónica, ISSN 0482-6396, Nº 773, 2019, págs. 48-49
• Idioma: español
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