Resumen de Efectos electro-ópticos en cristales con estructura de Zincblenda.
Se han observado anisotropías ópticas en la reflectividad de GaAs (001) Y (110), las cuales se atribuyen a efectos electro-ópticos lineales y cuadráticos, respectivamente. Los experimentos fueron realizados utilizando la técnica de reflectividad-diferencial (RD), en cristales de GaAs con diferentes concentraciones de impurezas y tanto tipo-n como tipo-p. Mediante un modelo teórico simple, es posible determinar los coeficientes electro-ópticos lineales del semiconductor a partir de mediciones de anisotropías. El modelo es aplicable a cualquier semiconductor con estructura de zincblenda. Se presentan resultados experimentales para GaAs (001) y (110) Y el desarrollo teórico general para las caras (001) y (110) de cristales con estructura de zincblenda.
