Obtención y caracterización de Nitruro de Silicio como capa antirreflectante para dispositivos optoelectrónicos

• Autores: Arllene Mariana Pérez, César Santiago, Francisco J. Renero Carrillo
• Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 36, Nº. 1, 2003, págs. 27-31
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Obtention and characterization of Silicon Nitride as antireflection coating by optoelectronics devices
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    Las capas antirreflectantes son comúnmente usadas en las componentes de los sistemas ópticos y en dispositivos optoelectrónicos como los detectores de radiación. En este trabajo presentamos la obtención de Nitruro de Silicio a partir de depósito químico en fase vapor asistido por plasma (PECVD), y su caracterización. La obtención de este material tiene la ventaja de llevarse a cabo dentro del mismo proceso de fabricación de dispositivos optoelectrónicos, por lo que se evita cualquier contaminación. La reflectividad alcanzada con esta capa es del 1 % para el valor de longitud de onda donde se optimiza el grosor de la capa, y de 4 %, al menos, para longitudes de onda diferentes. Se muestra la variación de reflectividad para el caso en que la incidencia de la radiación no sea perpendicular a la superficie.

  • English

    Antireflection coatings are used in optical components and optoelectronic devices. In this work we present a Silicon Nitride obtained by plasma enhancement chemical vapor deposition (PECVD), and his properties. The film reflectivity is equal to 1 % for optimal wavelength, and 4 % at least, for others wavelengths. The case when the incident beam is not perpendicular to film, is presented.