Modelo eléctrico simplificado de láseres de cavidad vertical y emisión superficial con oxidación lateral

• Autores: Sergi Menargues, Julia Arias Rodríguez, V. Martín Hériz, Luis Borruel Navarro, Ignacio Esquivias Moscardó
• Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 40, Nº. 1 (MARZO), 2007 (Ejemplar dedicado a: VIII Reunión Nacional de óptica), págs. 143-147
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Simplified electrical model for oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers
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• Resumen
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    Se presenta un modelo eléctrico de simulación 2D simplificado para láseres de cavidad vertical y emisión superficial (VCSELs) con oxidación lateral funcionando en régimen estático. El modelo resuelve el potencial electrostático en las regiones tipo p en las direcciones radial y vertical, y la distribución de portadores en el pozo cuántico en la dirección radial. Se ha simulado una estructura VCSEL de prueba bajo diferentes condiciones y los resultados muestran un buen comportamiento a nivel cualitativo en términos de perfiles laterales de densidad de portadores y de corriente en el pozo cuántico.

  • English

    A simplified electrical model for 2D simulation of oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) in the stationary regime is presented. For a given bias current and a fixed number of photons, the model solves de electrostatic potential across the p-doped regions in the radial and vertical directions, and the quantum well (QW) carrier density distribution along the radial direction. A benchmark VCSEL structure was simulated under different conditions and results showed good qualitative behavior in terms of carrier and current density lateral profiles in the QW.