Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores

• Autores: J. Solís Ros, A.P. González-Marcos, J.A. Martínez Pereda
• Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 42, Nº. 4 (DIC), 2009 (Ejemplar dedicado a: Optoel 09 II), págs. 233-239
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Semiconductors active optical bistability efficiency margins
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• Resumen
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    La importancia de la biestabilidad óptica activa es un hecho conocido, pero el uso de este efecto no lineal requiere de una correcta caracterización del dispositivo, que nos permita determinar las condiciones de polarización del mismo, para una función dada, entre las diversas aplicaciones que ofrece. El presente trabajo describe la metodología empleada para la caracterización de un diodo láser mediante herramientas CAD comerciales. Se presentan los resultados de los parámetros más característicos, contraste y anchura de histéresis, en las condiciones estándar para poder identificar los márgenes de eficiencia.

  • English

    The importance of the active optical bistability is a known fact, but the use of this nonlinear effect requires of a correct characterization of the device, that allows determining the polarization conditions for a given function among the diverse applications that offers. Present work describes the methodology used for the characterization of a laser diode, by the use of the commercial tools CAD. The results of the most characteristic parameters, contrast and hysteresis width, in the standard conditions, are showed, in order to be able to identify the efficiency margins.