Variación de las características I-V en diodos poco profundos

• Autores: G. Pastor, E. Domínguez, Emilio Lora-Tamayo D'Ocón
• Localización: III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 133-140
• Idioma: español
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• Resumen

  • En esta comunicación se presentan las características I-V de diodos de unión P-N realizados mediante difusiones poco profundas. Tras mencionar la importancia de los diodos con uniones de este tipo, se presenta la realización y caracterización de los mismos. Del análisis de las características I-V se llega a la conclusión de que es necesaria una cierta profundidad de difusión para que aparezca el efecto diodo. Se discuten los resultados experimentales a la luz de un análisis basado en la neutralidad de carga en la zona de transición.